leyu乐鱼体育登录专业版:DNP铠侠佳能联手开发纳米压印光刻技能！耗电量仅为EUV工艺110

  CINNO Research工业资讯，大日本印刷与铠侠控股（KIOXIA原东芝存储器控股）和佳能协作，一起研制了「纳米压印光刻技能（NIL）」用于半导体制作，与运用极紫外光刻（EUV）比较，功耗仅为十分之一。虽然NIL在完成量产之前还存在许多课题，但它现已能够构成最先进的电路线宽度。在工业界去碳化开展趋势不断增强的布景下，三家公司的政策旨在经过削减电力耗费而完成与其它公司差异化的一起，尽力促进该技能迈向实用化。

  NIL技能经过将芯片压印在晶圆上而构成精密的电路图画。据大日本印刷称，在技能研制中NIL现已能够处理高达5nm的电路线宽。虽然在实践大规模出产之前还有如电路缺点等许多问题需求处理，但三家公司的最终目标是建立大规模出产技能。

  NIL的制作工艺简练，不存在EUV那种耗费很多电力的问题。大日本印刷在2021年春季依据设备的标准值进行了一次内部模仿。经过模仿测验发现，在构成电路进程中每个晶圆的功耗仅为运用EUV光刻的十分之一左右。

  在力求工业出产进程中削减温室气体排放的大趋势下，为完成碳中和社会，估计半导体制作业对NIL的需求将会添加。三家公司将招引那些致力于削减制作进程功耗的半导体制作商和用户。

  现在，铠侠公司主力产品的NAND闪存技能研制是干流的堆叠式（3D），而微缩化的开展并没有到达逻辑半导体的水平。用于输入输出数据的外围电路的微缩化是NAND的一个中长期课题。铠侠已建立了15nm的大规模出产技能。为进一步完成EUV光刻和NIL的微缩化开展，铠侠一直走在研制立异的路上。